当社は中国のメーカーがVGF法で単結晶したGeウエハー及びインゴットを販売しております。
標準スペック
| Growth Metgod | VGF | |||
|---|---|---|---|---|
| Dopant | n-type:As ; p-type :Ga | |||
| wafer Shape | Round(DIA: 2”to 6”) | |||
| Surface Orientation | (100)±0.5° | |||
| Dopant | As（n-type） | Ga(p-type) | ||
| Resistivity(Ω・cm) | 0.05 ~0.25 | 0.005~0.04 | ||
| Etch Pitch Density（cm2） | ≤300 | ≤300 | ||
| Wafer Diameter(mm) | 50.8±0.3 | 100±0.3 | ||
| Tickness(μm) | 175±25 | 175±25 | ||
| TTV（μm） | ≤15 | ≤15 | ||
| Warp(μm) | ≤25 | ≤25 | ||
| Surface | Side1:Polished Side2：Etch | |||
| Backside Ra（μm） | ≤0.1 | ≤0.1 | ||